报告题目：低损耗功率器件结构及其可靠性与建模
报告人： 乔明 电子科技大学 教授、博士生导师、国家级高层次人才
报告时间：12月3日 10:00-12:00
报告地点：明理楼C302B
报告人简介
乔明，博士，二级教授，博士生导师，国家级高层次人才计划入选者。长期从事功率半导体器件，功率高压集成技术，高压功率集成电路，功率器件可靠性，抗辐射功率器件及高压集成技术等研究。获国家科技进步二等奖2项，省部级奖励5项，华为火花奖。发表SCI、EI收录论文200余篇，以第一发明人获授权中、美发明专利100余项。受邀担任ISPSD等国际会议TPC，Microelectronics Journal等期刊编委。研究成果在LED照明等领域、飞机等重点装备产生了良好的社会和经济效益。
报告内容摘要
功率器件是集成电路领域的重要元器件之一，本报告主要结合报告人的实际工作，汇报功率器件的结构和设计等进展，包括SJ MOS、SGT MOS、Trench MOS、Smart MOS以及可集成高压LDMOS器件等低损耗器件结构，以及结构相关的可靠性设计和器件建模问题，并进行相关结构和技术的探讨。
主办单位：理学院 科学技术发展研究院
